Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    102/08/0260

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures

  • Anotace anglicky

    The objective of this project is to achieve higher signal/noise ratio in submicron MOSFET and HEMT structures on the basis of low-frequency noise parameters assessment. We will thoroughly analyze the dependence of 1/f and RTS noise on longitudinal and transversal electric field intensity. In co-operation with sample producers Asahi Kasei (MOSFET) and CRL (HEMT) we will evaluate the dependence of low-frequency noise on sample geometry, technology and oxide layer preparation in order to determine noise sources and their localization. RTS noise capture and emission time constants will be explained using enhanced model of two-dimensional g-r process, based on Kolmogorov equation. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analyzedinInGaAs/InAlAs heterostructures and similar high mobility devices.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Projekt byl zaměřen na studium nízkofrekvenčního šumu moderních mikroelektronických součástek na bázi křemíku a smíšených polovodičů (GaN, InGaAs). Hlavním cílem bylo na základě měření transportních a šumových charakteristik tranzistorů řízených elektri?

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2008

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2010

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    16. 4. 2010

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP11-GA0-GA-U/03:3

  • Datum dodání záznamu

    9. 2. 2015

Finance

  • Celkové uznané náklady

    1 050 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    1 050 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč