Vysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama
Cíle projektu
Zájem o nechlazené přenosné detektory záření gama prudce narostl během posledních let vzhledem k aplikacím při zobrazování s vysokým rozlišením v medicíně a v oblasti bezpečnosti. Cílem projektu je příprava vysoce kvalitních semiizolačních krystalů CdTea CdZnTe pro detektory záření gama metodou tuhnutí v teplotním gradientu. Pro růst krystalů bude použita unikátní aparatura vyvinutá ve Fyzikálním ústavu UK umožňující plnou kontrolu tlaku par Cd během celého procesu růstu až do tlaku 8atm. Vzhledem k tomu, že inkluze a nehomogenity mřížky působí jako pastˇová a rekombinační centra, lze očekávat, ze zvýšení krystalografické kvality povede k vysokým hodnotám součinu pohyblivosti a doby živita nosičů proudu. Naše teoretické výsledky ukazují, že reakce mezi bodovými defekty, které mění jejich elektrický stav, by měly umožnit přípravu vysokodporového materiálu s velmi nízkou hodnotou koncentrace hluboké hladiny v blízkosti středu zakázaného pásu, která zásadním způsobem ovlivňuje dobu života volných
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
102/06/0258
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
High quality semiinsulating CdTe for gamma ray detectors
Anotace anglicky
The interest in non-cooled and portable spectrometric X and gamma-ray detectors increased remarkably in the last years due to applications in high resolution medical imaging of human organs and in security applications. The project is aimed at preparation of semiinsulating detector-grade CdTe and CdZnTe crystals with high crystallographic quality by vertical gradient freeze method in an original middle pressure setup enabling full control of Cd overpressure up to 8atm. Due to the fact, that each inclusion or inhomogeneity of crystal lattice acts as a trap or recombination center, it is expected, that the increased crystallographic quality will lead to high values of mobility-lifetime product of electrons and holes. Our theoretical results show, that defect reactions, which change the electric state of input/output species should allow to produce the semi-insulating CdTe also in the case of significantly reduced density of deep level, which determines the lifetime of carriers. This
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
DL - Jaderné odpady, radioaktivní znečištění a kontrola
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10511 - Environmental sciences (social aspects to be 5.7)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byl proveden systematický výzkum vlivu podmínek temperace (teplota, tlak par Cd nebo Te, doba temperace a způsob chlazení) na elektrické a optické vlastnosti CdTe:In. Podařilo se zvýšit stupeň pochopení procesů probíhajících během chlazení krystalů a vyp
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2008
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
25. 4. 2008
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
2 038 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 038 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
2 038 tis. Kč
Statní podpora
2 038 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2006 - 31. 12. 2008