Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy
Cíle projektu
V polovodičovém PN přechodu existují lokalizované oblasti se zvýšenou koncentrací donorových nebo akceptorových příměsí nebo další defekty, které se projevují nižším průrazným napětím PN přechodu ve zpětném směru. Lze je indikovat buďto snímáním časovýchprůběhů závěrného proudu při proměnném závěrném napětí nebo měřením VA charakteristik při napájení ze zdroje proudu. Závěrný proud přechodem v oblasti před homogenním průrazem je tvořen v podstatě pouze vedením proudu těmito lokálními defekty. Tyto oblasti jsou zvláště nebezpečné při aplikaci výkonových usměrňovacích diod, které pracují trvale s vysokými závěrnými hodnotami napětí. Cílem projektu je provést teoretické a experimentální studium statistických a transportních charakteristik vybraných polovodičových součástek s PN přechody v oblastech lokálních nestabilit PN přechodů (v oblastech výskytu mikroplazmy) a na základě tohoto studia navrhnout metodiku a zařízení pro šumovou diagnostiku a posuzování kvality, případně i spolehlivosti PN
Klíčová slova
DiagnosticsqualityPN junctionavalanche breakdownmicroplasma noise
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
102/06/1551
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Diagnostics of PN junction electronic devices by means of microplasma noise evaluation
Anotace anglicky
In a semiconductor PN junction there are localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities or other defects, which cause the PN junction reverse breakdown voltage to be reduced. They can be displayed when picking up thereverse current waveforms at varying reverse voltage or by measuring the U-I characteristics of a PN junction powered from a constant current supply. Below the homogeneous breakdown region, the PN junction reverse current is, in principle, due to the local defect-assisted current conduction only. These areas are particularly critical for the application of high-power rectifier diodes, which are operated at very high reverse voltages continuously. The goal of the present project consists in completingboth theoretical and experimental study of statistic and transport characteristics of selected PN junction semiconductor devices in their local instability regions (microplasma occurrence regions) and, based on this study, to design a methodology and an
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
JS - Řízení spolehlivosti a kvality, zkušebnictví
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
20201 - Electrical and electronic engineering
20306 - Audio engineering, reliability analysis
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Cílem projektu bylo provést teoretické a experimentální studium statistických a transportních charakteristik vybraných polovodičových součástek s PN přechody s oblastmi lokálních nestabilit PN přechodů a navrhnout metodiku a zařízení pro šumovou diagnost
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2008
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
25. 4. 2008
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
980 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
980 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
980 tis. Kč
Statní podpora
980 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2006 - 31. 12. 2008