Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy

Název projektu anglicky
Diagnostics of PN junction electronic devices by means of microplasma noise evaluation
Anotace anglicky
In a semiconductor PN junction there are localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities or other defects, which cause the PN junction reverse breakdown voltage to be reduced. They can be displayed when picking up thereverse current waveforms at varying reverse voltage or by measuring the U-I characteristics of a PN junction powered from a constant current supply. Below the homogeneous breakdown region, the PN junction reverse current is, in principle, due to the local defect-assisted current conduction only. These areas are particularly critical for the application of high-power rectifier diodes, which are operated at very high reverse voltages continuously. The goal of the present project consists in completingboth theoretical and experimental study of statistic and transport characteristics of selected PN junction semiconductor devices in their local instability regions (microplasma occurrence regions) and, based on this study, to design a methodology and an

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
JS - Řízení spolehlivosti a kvality, zkušebnictví
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20306 - Audio engineering, reliability analysis

Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Cílem projektu bylo provést teoretické a experimentální studium statistických a transportních charakteristik vybraných polovodičových součástek s PN přechody s oblastmi lokálních nestabilit PN přechodů a navrhnout metodiku a zařízení pro šumovou diagnost

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009

Podobné projekty(10)