Vliv vzácných zemin na přípravu a vlastnosti polovodičových materiálů typu AIII BV

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Effect of rare-earth elements on preparation and properties of semiconductor AIIIBV materials

Anotace anglicky

The project proposal presents a continuation and extension of research carried out with the support of Grant Agency of the Czech Republic (1996-1998). The subject is to study the influence of the presence of rare earth (RE) elements in the preparation process on properties of the AIIIBV semiconductor materials. The aim of the project is to employ the peculiarities of the electron shells as well as high chemical reactivity of the RE elements in order to prepare materials of superior quality for applications. High-purity layers with enhanced carrier mobility values and with free-carrier concentrations two to three orders of magnitude lower than is customary are attractive for the construction of radiation detectors and Gunn diodes. Layers with Relement incorporated in lattice sites, combined with p-a junction structures, can yield highly efficient radiation sources with emission wavelength insensitive to temperature. Layers and structures will be prepared by liquid phase epitaxy; an array of di

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

JJ - Ostatní materiály

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

20201 - Electrical and electronic engineering<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Byly realizovány speciální polovodičové struktury, vhodné pro konstrukci účinných zdrojů záření a speciální vrstvy vhodné pro detekci záření. Projekt měl technologický charakter, byl řešen na mimořádně vysoké úrovni, zapojena byla dvě akademická pracoviš

Zahájení řešení

1. 1. 1999

Ukončení řešení

1. 1. 2001

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2002/GA0/GA02GA/U/N/7:3

Datum dodání záznamu

1. 4. 2003

Celkové uznané náklady

3 976 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 566 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

3 771 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč