Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice
Cíle projektu
Polovodiče AIIIBV dopované přechodnými prvky (TM) patří do nové skupiny perspektivních materiálů zvaných "zředěné" magnetické polovodiče, které upoutaly v poslední době mnoho pozornosti v teoretické i experimentální oblasti jako vhodné potenciální zdrojeelektronových spinů pro aplikace ve spinové elektronice. Některé vysoce dopované polovodivé materiály se širokým zakázaným pásem, jako např. (Ga,Mn)N vykazují feromagnetické chování kolem pokojové teploty a nad ní, což je považováno jako hlavní kriteriumpro aplikace ve spintronice. Předkládaný projekt se zaměřuje na materiálové a technologické aspekty tenkých vrstev nitridů AIIIN dopovaných TM připravovaných metodou MOVPE. K jejich přípravě budou použity tři různé postupy: (a) iontová implantace do vrstev intrinzického GaN (AlN) následovaná temperací, (b) difúze z napařených kovových vrstev prováděná za zvýšených teplot do GaN (AlN), (c) in-situ MOVPE depozice při využití organokovových prekurzorů (C5H5)2TM jako zdroje TM. Připravené vrstvy budou
Klíčová slova
dilute magnetic semiconductorsAiiiNMO VPEthin filmsspintronics
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
104/06/0642
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications
Anotace anglicky
The transition metal (TM) doped AIIIBV semiconductors belong to a new class of advanced materials, dilute magnetic semiconductors, which have recently received much experimental and theoretical attention as a suitable spin source for spintronic devices,such as spin transitors, LEDs, magnetic RAMs and sensors. Some of the highly doped wide band gap materials like (Ga,Mn)N reveal a ferromagnetic like behavior near and above room temperature, which is considered as a major criterium for spintronic applications. The present project focuses on material and technological aspects of the TM doped AIIIN thin films fabricated by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. Three different methods will be employed to incorporate TM (Mn, Cr, Fe, Co)into GaN (AlN) thin layers: (a) ion implantation followed by annealing, (b) diffusion at elevated temperatures from vapor deposited metallic layers into intrinsic GaN, and, (c|) in-situ MOVPE using MO precursors ( (C5H5)2TM ) as TM sources. The prepared
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
CA - Anorganická chemie
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byl vyvinut technologický postup na bázi MOVPE a příslušná aparatura pro přípravu tenkých vrstev nitridů AIII dopovaných přechodnými kovy, s nimiž se počítá jako s možnými kandidáty pro aplikace ve spinové elektronice. Přestože připravené vrstvy GaN dopo
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2008
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
25. 4. 2008
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
3 039 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
3 039 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
3 039 tis. Kč
Statní podpora
3 039 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
CA - Anorganická chemie
Doba řešení
01. 01. 2006 - 31. 12. 2008