Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice

Název projektu anglicky
Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications
Anotace anglicky
The transition metal (TM) doped AIIIBV semiconductors belong to a new class of advanced materials, dilute magnetic semiconductors, which have recently received much experimental and theoretical attention as a suitable spin source for spintronic devices,such as spin transitors, LEDs, magnetic RAMs and sensors. Some of the highly doped wide band gap materials like (Ga,Mn)N reveal a ferromagnetic like behavior near and above room temperature, which is considered as a major criterium for spintronic applications. The present project focuses on material and technological aspects of the TM doped AIIIN thin films fabricated by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. Three different methods will be employed to incorporate TM (Mn, Cr, Fe, Co)into GaN (AlN) thin layers: (a) ion implantation followed by annealing, (b) diffusion at elevated temperatures from vapor deposited metallic layers into intrinsic GaN, and, (c|) in-situ MOVPE using MO precursors ( (C5H5)2TM ) as TM sources. The prepared

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
CA - Anorganická chemie
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byl vyvinut technologický postup na bázi MOVPE a příslušná aparatura pro přípravu tenkých vrstev nitridů AIII dopovaných přechodnými kovy, s nimiž se počítá jako s možnými kandidáty pro aplikace ve spinové elektronice. Přestože připravené vrstvy GaN dopo

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009

Podobné projekty(10)