Tenké vrstvy magneticky dopovaného GaN

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 17 (SGA0201300005)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.<br>Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

13-20507S

Název projektu anglicky

Thin films of magnetically doped GaN

Anotace anglicky

Materials with both semiconductor and magnetic properties, which are commonly called dilute magnetic semiconductors (DMS), are currently considered as most applicable in the fabrication of spintronic devices - viable candidates for advanced computing and communication technologies.We aim to study the wide-gap GaN where, in order to produce a DMS with a high ferromagnetic Curie temperature, the transition metal (TM) and rare earths (RE) will be doped into thin layers of the host GaN structure. Simultaneously, TM and RE doped bulk GaN samples will be prepared as well. The samples will be characterized by means of spectroscopic methods and their structural, magnetic and magnetotransport properties will be measured. The observed characteristics will be critically analyzed and confronted with calculations of electronic structure and the origin of magnetism will be discussed regarding both the intrinsic mechanism of exchange interactions and the possible formation of other magnetic phases.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

CA - Anorganická chemie

CEP - vedlejší obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - další vedlejší obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Byly připraveny tenké epitaxní vrstvy GaN, které byly posléze in situ dopovány přechodnými prvky. Jejich struktura, vliv nečistot a nemagnetických defektů, magnetické a transportní vlastnosti a termální stabilita byly podrobně charakterizovány a získané výsledky konfrontovány s teoretickými výpočty. Dosažené výsledky jsou velkým přínosem pro spintroniku.

Zahájení řešení

1. 2. 2013

Ukončení řešení

31. 12. 2016

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

14. 4. 2016

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP17-GA0-GA-U/03:1

Datum dodání záznamu

28. 6. 2017

Celkové uznané náklady

8 054 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

8 054 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč