Studium perspektivních polovodičových materiálů a struktur pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie a kontaktního profilometru

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Study of perspective semiconductor materials and structures by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy and contact profilometer

Anotace anglicky

Perspective materials and structures for electronics and optoelectronics will be studied by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. They are heterostructures as InAs / AlSb , InAs / GaSb / AISb , GaAs / GaAIAs , ZnS / GaN , GaN / A1N i and layered semiconductors of tetradymit structure. Main studied subjects are band offsets in heterostructures , existence of subbands , positions of barriers , resonant levels and imagination of heterostructures . Narrow band gap materials will be studied' also at liquide nitrogen temperature . To make measurements quicker and easier we realise exchange of samples in vacuum without of its breaking. We also computerise contact profilometer which will be used for peliminary measurements of concentration of impurities/composition profiles on beveled heterostructures.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - další vedlejší obor

JC - Počítačový hardware a software

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20206 - Computer hardware and architecture

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Odborný přínos řešeného projektu spočívá v získání nových poznatků na heterostrukturách polovodičových materiálů pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a pomocí měření profilu koncentrace příměsí vrstevnatých struktur. Hlavní výsledky jsou shrn

Zahájení řešení

1. 1. 1997

Ukončení řešení

1. 1. 1999

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2000/GA0/GA00GA/U/6:2

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

3 564 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 665 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč