Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 15 (SGA0201400003)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

14-16549P

Název projektu anglicky

Electronic Performance Enhancement of Diamond-GaN Hybrid Structures Using Engineered Strains

Anotace anglicky

This project focuses on fundamental understanding of the diamond growth (DG) on GaN substrates (AlGaN/GaN on Si or sapphire, and metal contacts). Different nucleation and seeding methods will be employed to initialize the DG. The DG will be done by cavity-focused or linear-antenna microwave plasma CVD process. The induced strain due to the crystallographic and thermal mismatch between diamond and GaN will be engineered by process conditions (mainly deposition temperature and gas composition) and by layer character (nano- or poly-crystalline grains, porous structure, thickness). The induced strain will be characterized by Raman and XRD measurements. Fabricated electrically-conductive channels and HEMT transistors on diamond-GaN heterostructures will be investigated by variety of I-V measurements. Simultaneously, strain and heat dissipation FEM simulations will be provided to better characterize and understand the electronic and material properties of diamond-GaN hybrid system. The project findings can offer new solutions for high-power and high-frequency electronic devices.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

CEP - další vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Cíle projektu byly splněny, projekt přinesl rozšíření poznatků týkajících se optimalizace růstu diamantové vrstvy na AlGaN/GaN substrát. Výsledky byly publikovány na patřičné úrovni. Všechny výsledky mají vícenásobnou dedikaci. Tuto okolnost je však možné hodnotit pozitivně vzhledem k tomu, že se jednalo o postdoktorský projekt a řešiteli se podařilo vybudovat nové kontakty pro další výzkum.

Zahájení řešení

1. 1. 2014

Ukončení řešení

31. 12. 2016

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

12. 4. 2016

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP17-GA0-GP-U/01:1

Datum dodání záznamu

30. 6. 2017

Celkové uznané náklady

2 026 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

2 026 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč