Rtg difraktometrie s vysokým rozlišením náhodných vrstevnatých systémů

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 18 (SGA0201400001)

Hlavní účastníci

Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

14-08124S

Název projektu anglicky

High-resolution x-ray diffraction from random layered systems

Anotace anglicky

X-ray scattering from nanostructures using a broad beam detects the ensemble-averaged scattered intensity; ensemble averaging smears out information on correlation of structure parameters; on the other hand the scattering of a very narrow coherent beam brings complete information on a single nanoobject, which is useless for characterization of samples with many nanoobjects. The goal of the project is to develop a method of x-ray scattering and data treatment, which keeps the information depth of the coherent diffraction from a single object and improves the statistical relevance for a large ensemble of objects. The method will be based on the rigorous theory of optical coherence and it will include also the case of very short, time-incoherent pulses produced by x-ray free electron lasers. The method will be applied for the study of random layered systems, namely stacking faults in epitaxial layers GaN and in semiconductor nanowires. We determine the sequence of the defects in individual nanoobjects and their correlations in a large ensemble of objects.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Významné originální výsledky byly dosaženy při vývoji obené teorie rentgenovské difrakce z vrstevnatých systémů a byly aplikovány při studiu planárních defektů v GaN, nanovláknech GaAs a v topologických nevodičích. Výsledky byly publikovány v 13 článcích v předních mezinárodních časopisech s vysokým impakt faktorem a významně překračují dosavadní stav poznání v této oblasti.

Zahájení řešení

1. 1. 2014

Ukončení řešení

31. 12. 2016

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

12. 4. 2016

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP17-GA0-GA-U/03:1

Datum dodání záznamu

28. 6. 2017

Celkové uznané náklady

4 758 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

4 758 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč