Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Elektronické vlastnosti dopovaného diamantu ve vysokých elektrických polí

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 21 (SGA0201700001)

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    17-05259S

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Electronic properties of doped diamond in high electric fields

  • Anotace anglicky

    Chemical vapour deposition (CVD) of p- and n-type doped epitaxial diamond has been demonstrated more than 20 years ago. Yet, the significant variation of its electrical properties with substrate’s crystalline orientation is not understood. Despite outstanding properties, partial ionization of dopants and high resistivity of diamond severely limit its electronic applications. In 2011, V. Mortet et al. (Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 202105) reported impurity impact ionization in diamond leading to complete ionization of dopant under high electric fields. Despite its high potential in diamond based electronics, this phenomenon has not been studied in detail. Structural, chemical, electronic and optical properties of diamond with variable crystalline orientations and dopant concentrations will be measured to study and to determine the interactions between defects and electronic properties. These measurements, together with high electric field characterization, will contribute to the methodology of diamond doping and allow the in depth study of impurity impact ionization in doped diamond.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2017

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2021

  • Poslední stav řešení

  • Poslední uvolnění podpory

    3. 4. 2019

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP21-GA0-GA-R/13:1

  • Datum dodání záznamu

    22. 2. 2021

Finance

  • Celkové uznané náklady

    5 938 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    4 912 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    1 026 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč