Studium mechanizmů transportu náboje přechodu grafen-polovodič
Cíle projektu
Unikátní vlastnosti přechodu grafen-polovodič nabízí velkou příležitost ke studiu nových fundamentálních jevů odehrávajících se na rozhraní mezi dvoudimenzionálním (2D) polokovem a třídimenzionálním (3D) objemovým polovodičem a činí tento přechod vysoce atraktivním pro novou generaci součástek na bázi grafenu. Jedním z klíčových problémů v těchto přechodech je pochopení mechanizmů transportu náboje. Zaměřujeme se na systematickou analýzu mechanizmů transportu náboje v přechodech 3D polovodičových oxidů (Ga2O3 and ZnO) s 2D grafenem. Dále se pokoušíme detailně pochopit, jakým způsobem ovlivňuje interakce mezi grafenem a různými krystalografickými plochami polovodičových oxidů transport náboje. Cíle projektu představují velkou výzvu s řadou potenciálních aplikací zejména ve fotodetektorech, solárních článcích a detektorech záření.
Klíčová slova
Schottky junctioncharge transportgraphenegallium oxidezinc oxide
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
SGA0202000001
Hlavní účastníci
Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
20-24366S
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Study of charge transport mechanisms in graphene-semiconductor junctions
Anotace anglicky
Unique properties of graphene-semiconductor junctions offer a great opportunity to investigate new fundamental phenomena taking place at the interface between a two-dimensional (2D) semimetal and a three-dimensional (3D) bulk semiconductor, and make this junction extremely attractive for a new generation of graphene-based devices. One of the key issues in these junctions is to understand the charge transport mechanisms. We focus on a systematic analysis of charge transport mechanisms in the junctions formed by a 3D oxide semiconductor (Ga2O3 and ZnO) and 2D graphene. We further attempt to deeply understand how the interaction between graphene and different crystallographic planes of oxide semiconductors affect the charge transport. The project goals present a considerable challenge with a wide range of potential applications, particularly in photodetectors, solar cells, and radiation detectors.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
OECD FORD - hlavní obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
OECD FORD - vedlejší obor
—
OECD FORD - další vedlejší obor
—
CEP - odpovídající obory
(dle převodníku)BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2020
Ukončení řešení
31. 12. 2022
Poslední stav řešení
—
Poslední uvolnění podpory
11. 5. 2022
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP23-GA0-GA-R
Datum dodání záznamu
26. 6. 2023
Finance
Celkové uznané náklady
4 789 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
4 789 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
4 789 tis. Kč
Statní podpora
4 789 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
OECD FORD
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Doba řešení
01. 01. 2020 - 31. 12. 2022