Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons

  • Anotace anglicky

    When very slow electrons below 20 to 30 eV impact the solid surface, their reflection is inversely proportional to the local density of states, coupled to the incident wave, so that the energy band structure in the impact point can be studied. This phenomenon, verified by the low energy electron diffraction experiments, will be employed in its microscopic version at high resolution and applied to investigation of structures with locally variable electronic properties. Efficient control of the landing energy of electrons in the scanning electron microscope and preservation of a high resolution down to lowest energies will be provided by the beam deceleration closely above the surface within the cathode lens. Basic experiments will demonstrate the contrast mechanism and the imaging method will be applied to visualisation of the dopant distribution density in semiconductors at energies of their impurity levels, when the reflection drops proportionally to the number of impurity atoms.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - další vedlejší obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Mezi výsledky dosažené při řešení projektu patří, že byla experimentálně demonstrována metoda získávání kontrastu elektronické struktury preparátu v rastrovaných mikroskopických obrazech velmi pomalými elektrony, a to jak na dopovaných oblastech v polovo

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2004

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2006

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP07-GA0-GA-U/03:2

  • Datum dodání záznamu

    16. 10. 2007

Finance

  • Celkové uznané náklady

    2 658 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    1 658 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    1 500 tis. Kč