Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons
Anotace anglicky
When very slow electrons below 20 to 30 eV impact the solid surface, their reflection is inversely proportional to the local density of states, coupled to the incident wave, so that the energy band structure in the impact point can be studied. This phenomenon, verified by the low energy electron diffraction experiments, will be employed in its microscopic version at high resolution and applied to investigation of structures with locally variable electronic properties. Efficient control of the landing energy of electrons in the scanning electron microscope and preservation of a high resolution down to lowest energies will be provided by the beam deceleration closely above the surface within the cathode lens. Basic experiments will demonstrate the contrast mechanism and the imaging method will be applied to visualisation of the dopant distribution density in semiconductors at energies of their impurity levels, when the reflection drops proportionally to the number of impurity atoms.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Mezi výsledky dosažené při řešení projektu patří, že byla experimentálně demonstrována metoda získávání kontrastu elektronické struktury preparátu v rastrovaných mikroskopických obrazech velmi pomalými elektrony, a to jak na dopovaných oblastech v polovo
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2004
Ukončení řešení
1. 1. 2006
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP07-GA0-GA-U/03:2
Datum dodání záznamu
16. 10. 2007
Finance
Celkové uznané náklady
2 658 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
1 658 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
1 500 tis. Kč