Inženýrství kvantových teček
Cíle projektu
Příprava vertikálně korelovaných vícevrstvých struktur kvantových teček InAs s vysokou účinností luminiscence. Budou připraveny struktury se zadanými vlastnostmi, jako je vlnová délka emise, energetický rozdíl mezi nejnižším a druhým nejnižším zářivým přechodem v QD a plošné hustoty QD, důležitými pro použití v optoelektronice. Vrstevnaté struktury korelovaných QD budou připraveny metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE) v růstovém modu Stranského-Krastanovova. Jejich vlastnosti budouladěny změnou počtu vrstev, různou tloušťkou oddělovacích vrstev GaAs mezi vrstvami kvantových teček InAs a změnou chemického složení a tloušťky napnuté vyrovnávací vrstvy. Vzorky budou charakterizovány strukturními a optickými metodami, především pomocírozptylu Roentgenova záření, TEM, AFM, luminiscence, absorpce, reflexe a fotovodivosti. Paralelně bude teoreticky studován vliv napjaté vyrovnávací vrstvy a vertikální korelace na elektronovou strukturu kvantových teček. Struktury budou optimalizovány
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
202/06/0718
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Quantum dot engineering
Anotace anglicky
Preparation of vertically stacked, multiple-layer InAs/GaAs quantum dot (QD) structures, optimized for the high brightness of luminescent emission. Several key properties, such as the emission wavelength, the difference between the energies of the firstand the second radiative transitions, and the density of the QDs, will be targeted, aiming at potential laser applications. The QD structures will be prepared by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy, using the Stransky-Krastanov growth mechanism. Their properties will be tuned by changing the number of QD layers, the thicknesses of the GaAs spacer layers and the chemical composition and thickness of the buffer layer. The structural and electronic properties will be characterized by X-ray diffraction, TEM,AFM, luminescence, absorption, reflectance, and photoconductivity. In parallel, they will also be studied theoretically, with a particular emphasis on effects due to the strained buffer layer and the vertical correlations. The structures will be
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - další vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Struktury s InAs/GaAs tečkami optimalizované vzhledem k intenzitě a frekvenci maxima luminiscence byly připraveny metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE) v růstovém modu Stranského-Krastanovova. Vlnová délka emise byla řízena obsahem In
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2006
Ukončení řešení
31. 12. 2008
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
25. 4. 2008
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu
22. 10. 2009
Finance
Celkové uznané náklady
3 270 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
3 270 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
3 270 tis. Kč
Statní podpora
3 270 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2006 - 31. 12. 2008