Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hluboké defekty v polovodičích pro optoelektronické aplikace

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 10 (SGA02007GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    202/07/0525

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Deep defects in semiconductors for optoelectronic applications

  • Anotace anglicky

    The main aim of the project proposed is to study deep defects in semiconductor structures by means of appropriate experimental methods, mainly Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and Admittance Spectroscopy in order to correlate the transport properties with the identified deep levels. Both narrow band-gap systems based on GaSb and structures containing wide band-gap semiconductors such as GaN will be investigated. Starting from our preliminary measurements that indicate a relation between the amount of native defects and the growth rate of GaSb layers, we intend to design structures with highly asymmetric junction or Schottky barrier enabling us more unambiguous identification of deep levels found. As for wide band-gap materials, we will participate in the research of promising heterostructures SiC/(Al,Ga)N with emphasis on understanding of the Al-content effect as well as substrate orientation on electrical properties of the heterojunction. We will concentrate on determination of some

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Vážnou výhradou je nečerpání cestovného v posledním roce řešení, kdy na úkor cestovného byla dovybavována laboratoř. Publikační výstup projektu je na dolní přijatelné hranici.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2007

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2009

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    22. 4. 2009

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP10-GA0-GA-U/02:2

  • Datum dodání záznamu

    22. 1. 2015

Finance

  • Celkové uznané náklady

    2 580 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    2 580 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč