Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
Cíle projektu
Morfologie rozhraní monokrystalických multivrstev je důležitá pro jejich optické a elektrické vlastnosti. V projektu se budou studovat rozhraní multivrstev typu III-V a multivrstev SiGe/Si pěstovaných metodami MBE a MOVPE. Bude použita vysokorozlišujícírtg difrakce ve spekulárním i difuzním módu, jakož i lokální tunelovací techniky, TEM a optická měření. Strukturní modely rozhraní založené na teorii náhodných procesů budou použity k interpretaci naměřených výsledků. Bude sledována závislost morfologierozhraní na krystalografické orientaci, chemickém složení a parametrech růstu multivrstev. Bude též studována korelace kvality rozhraní se strukturní kvalitou epitaxních vrstev studovanou pomocí vysokorozlišující rtg difraktometrie. Výsledky experimentůbudou použity k optimalizaci parametrů epitaxního růstu.
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
—
Hlavní účastníci
Masarykova univerzita / Přírodovědecká fakulta
Druh soutěže
—
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
The morfology of the interfaces in heteroepitaxial multilayers
Anotace anglicky
The morphology of the interfaces in epitaxial multilayers is decisive for their optical and electrical peformance. The interfaces in multilayers of the type III-V and SiGe/Si multilayers grown by MBE and MOVPE methods will be studied within the project.High-resolution x-ray diffractometry and x-ray reflectometry will be used both in the specular and in the non-specular regimes. The results will be compared with the observations of the interfaces by local techniques (tunneling microscopy, TEM) and by optical measurements. The experimental data will be analyzed using structural models of the interfaces based on the theory of stochastic processes. The dependence of the interface morphology on the crystallographic orientation, chemical composition and growth parameters will be studied as well. The quality of the interfaces will be correlated to the crystallographic quality of the layers determined by high-resolution diffractometry. The results will be used for the optimization of the parameters of the ep
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10304 - Nuclear physics
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Řešení projektu proběhlo úspěšně, bylo dosaženo vynikajících výsledků. Výsledky byly presentovány v prestižních mezinárodních časopisech a jako pozvané přednášky na mezinárodních konferencích. Výsledky byly dosaženy v široké mezinárodní spolupráci a část
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 1997
Ukončení řešení
1. 1. 1999
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2000/GA0/GA00GA/U/6:2
Datum dodání záznamu
—
Finance
Celkové uznané náklady
2 498 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
813 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 498 tis. Kč
Statní podpora
813 tis. Kč
32%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 1997 - 01. 01. 1999