Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 5 (SGA02005GA1PD)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

202/05/P286

Název projektu anglicky

Investigation of morphology of semiconductor multilayers using x-ray scattering

Anotace anglicky

Heteroepitaxial systems based on semiconductor multilayers are intensively studied due to their extraordinary electrical and optical properties, which depend on the structural quality. In this project, we will investigate morphology of two types of complicated multilayers from materials of type IV and III/V grown by MBE method. Firstly, thick multilayers with large number of non-periodic thin SiGe/Si layers grown in order to design cascade laser structures based on silicon technology. Secondly, multilayers with self-assembled structures of quantum dots and wires. We will be interested in the morphological properties as a state of individual layers (thickness, refractive index), interfaces (correlation function) and quantum objects (spatial arrangement). Investigated samples will be studied by x-ray reflectivity and diffraction methods using laboratory and synchrotron sources. Evaluation of measured data will be based on appropriate growth models.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

V rámci řešení projektu byly studovány strukturní vlastnosti SiGe krystalických multivrstev a kaskádových struktur s vysokým obsahem Ge pěstovaných na SiGe relaxovaných pseudosubstrátech pomocí molekulární svazkové epitaxe. Použitím metod rtg reflexe a d

Zahájení řešení

1. 1. 2005

Ukončení řešení

31. 12. 2007

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

2. 5. 2007

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP08-GA0-GP-U/03:2

Datum dodání záznamu

17. 10. 2008

Celkové uznané náklady

423 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

423 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč