Studium počátečních fází růstu kovů na površích Si(001) a Si(111) pomocí řádkovací tunelové mikroskopie

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Scanning tunneling microscopy of initial stages of metal epitaxy on Si(001) and Si (111) surfaces

Anotace anglicky

We propose a study of initial stages of metal epitaxy on silicon surfaces using scanning tunneling microscospy. In particular, we want to investigate densities, size distributions, shapes, and details of the structure of islands formed in submonolayer stage of epitaxial growth of various metals as a function of surface coverage and growth conditions. The results will be interpreted using kinetic Monte Carlo simulations of lattice models taking into account the effects of surface reconstructions and epitaxial strain. The information obtained should be of great importance both for preparing smooth ultrathin metallic overlayers and for fabrication of nanostructures (quantum wires and dots) on the silicon surface.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Projekt se zabýval výzkumem počátečních fází růstu kovů (Ag, Al) na povrchu monokrystalu křemíku pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) ve vysokém vakuu. Byla vyvinuta komplikovaná experimentální metodika a experimentální výsledky byly srovnány s n

Zahájení řešení

1. 1. 1997

Ukončení řešení

1. 1. 1999

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2000/GA0/GA00GA/U/6:2

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

974 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

443 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč