Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Laditelné elektronické a optoelektronické součástky na bázi epitaxního grafénu na SiC

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Juniorské granty

  • Veřejná soutěž

    Juniorské granty 2 (SGA0201600002)

  • Hlavní účastníci

    Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    16-15763Y

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Tuneable electronic and optoelectronic devices on the epitaxial graphene/SiC platform

  • Anotace anglicky

    Epitaxial graphene on SiC will be used for the fabrication of the novel tuneable electronic and optoelectronic devices. The main idea of the project is to use both unique properties of graphene, particularly low density of states and graphene semi-metallic behaviour, and the semiconducting properties of the wide-band gap SiC. The graphene growth will be optimized and the growth conditions will be controlled and characterized using Residual Gas Analyser (RGA). The sandwiched SiC/graphene/SiC/graphene heterostructures will be fabricated to allow back-gating the top graphene layer. These heterostructures will allow optical access to the SiC semiconducting channel which will be profitable for future optoelectronic applications. The novel type of tuneable tunnelling diodes based on graphene/metal interface will be fabricated. The tuneability will be based on the possibility to change carrier density in the semi-metallic graphene.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Výsledkem řešení projektu byly příprava struktur grafén/SiC a růst grafénu s vysokou kvalitou na povrchu. V rámci experimentálního testování elektrických vlastností byla odhalena některá omezení v účinnosti a v laditelnosti. Výsledky výzkumu byly publikovány v prestižních mezinárodních časopisech a byly prezentovány na konferencích.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2016

  • Ukončení řešení

    29. 11. 2019

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    26. 4. 2018

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP20-GA0-GJ-U/01:1

  • Datum dodání záznamu

    2. 7. 2020

Finance

  • Celkové uznané náklady

    5 676 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    5 676 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč