Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vývoj tranzistoru na epitaxním grafenu s využitím optického dopování

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    SGA0202200004

  • Hlavní účastníci

    Univerzita Karlova / Matematicko-fyzikální fakulta

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    22-20020S

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Development of epitaxial-graphene transistor utilizing optical doping

  • Anotace anglicky

    Due to its technologically simple and cheap fabrication, epitaxial graphene grown on silicon carbide substrates is a good candidate for being a common material used in electronics and photonics. However, efforts to create graphene transistors, in which the epitaxial graphene forms the source-drain channel with back-gate voltage-controlled conductivity, have not been very successful so far. We propose a promising alternative to back-gating in the form of additional optical doping of graphene with photo-induced space charge in the substrate that affects graphene sheet conductivity. This project will focus on the development of a graphene transistor based on the sub-bandgap excitations in SiC responsible for optical doping of epitaxial graphene and its optimization. Besides electrical measurements of photoresponse of graphene and SiC, a novel method of internal electric field measurements will be used. In addition, we will study graphene doping under high-energy photons irradiation. A microscopic model of optical doping will accompany experimental results.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • OECD FORD - hlavní obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • OECD FORD - vedlejší obor

  • OECD FORD - další vedlejší obor

  • CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2022

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2024

  • Poslední stav řešení

    K - Končící víceletý projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    1. 4. 2023

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP24-GA0-GA-R

  • Datum dodání záznamu

    19. 2. 2024

Finance

  • Celkové uznané náklady

    6 439 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    6 439 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč