Pěstování a studium monokrystalů gallium antimonidu s nízkou koncentrací volných nositelů a vysokým měrným odporem pro přípravu podložek k epitaxním technol.

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Growth and study of gallium antimonide single crystals with low free carrier concentration and high resistivity for epitaxial application

Anotace anglicky

This project is based on the results of the former grant, No. 203/94/1277. Main goal will be aimed at the study and the growth of the gallium antimonide single crystals with the low carrier concentration and the high resistivity. The crystals will be grown under the hydrogen ionized atmosphere and, in addition, in the magnetic field. To this purpose, the apparatus with the programmable magnetic field has been built up from the previous grant means. This suggested project will consist of the followingscientific points: a) the determination of the passivation of residual impurities from the physical point of view using all reasonable data b) the thermodynamical analysis of the passivation process c) the growth of the GaSb single crystals under the hydrogen ionized atmosphere with the series of different concentrations of n-type dopants (tellurium, selenium, etc.) and the study of suitable conditions increasing the compensation of residual p-type impurities and natural defects d) the growth of the

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BJ - Termodynamika

CEP - vedlejší obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - další vedlejší obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry<br>20303 - Thermodynamics

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Řešení projektu přispělo k rozšíření znalostí o gallium antimonidu. Byla navržena nová technologie přípravy monokrystalů GaSb s nízkou koncentrací volných nositelů a vyšším měrným odporem. Na základě dosažených výsledků lze předvídat koncentraci volných

Zahájení řešení

1. 1. 1998

Ukončení řešení

1. 1. 2000

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2001/GA0/GA01GA/U/N/9:4

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

372 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

307 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč