Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
CS
ČeštinaEnglish

Filtry

14 (0,084s) •

Projekt

Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb (GA13-15286S)

V rámci tohoto projektu budeme připravovat (pomocí technologie MOVPE), studovat (pomocí fotoluminiscence (Pl) a elektroluminiscence (El)) a demonstrovat efekt superlineární závislosti Pl a El a zesílení optického výkonu v nanostrukturách s hlubokou A...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2013 - 2015
    • •
  • 1 585 tis. Kč
    • •
  • 1 585 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Optimalizace laserů, diod a detektorů pro vlnové délky v okolí 2 um zhotovených na bázi GaSb(GaAlAsSb)GaInAsSb (IA21057)

XXX XXX XXX XXX...

9T - 9

  • 1991 - 1993
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • AV ČR
Projekt

Pěstování a studium monokrystalů gallium antimonidu s nízkou koncentrací volných nositelů a vysokým měrným odporem pro přípravu podložek k epitaxním technol. (GA203/98/1276)

Tento projekt by měl plynule navazovat na předchozí grant reg.č. 203/94/1277 a pokračovat ve studiu a přípravě monokrystalů GaSb s nízkou koncentrací volných nositelů pasivace c) pěstování monokrystalů GaSb v atmosféře ionizovaného ...

BJ - Termodynamika

  • 1998 - 2000
    • •
  • 372 tis. Kč
    • •
  • 307 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Příprava a dopování monokrystalů GaSb pro fyzikální studium strukturních poruch. (GA203/94/1277)

Podstatou grantu je příprava monokrystalů GaSb se sníženou koncentrací elektricky aktivních příměsí a dopovaných některými vhodnými prvky /např. S, Te, Mn, Cu apod./.Jedná se především o snížení koncentrace elektricky aktivních příměsí,které...

CA - Anorganická chemie

  • 1994 - 1996
    • •
  • 125 tis. Kč
    • •
  • 184 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Hluboké defekty v polovodičích pro optoelektronické aplikace (GA202/07/0525)

systémy založené na GaSb, tak struktury obsahující širokopásové polovodiče mezi množstvím vlastních defektů a rychlostí růstu vrstev GaSb, zamýšlíme navrhnout struktury......

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2007 - 2009
    • •
  • 2 580 tis. Kč
    • •
  • 2 580 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Kontrola znečištění životního prostředí pomocí absorpční spektroskopie s využitím diodových laserů laditelných v oboru 2-4 mikrometru. (OK 136)

Hlavní cíl tohoto projektu je vývoj nových měřících technik využívajících potenciálních možností laserové spektroskopie ve spektrálním oboru 2-4 mikrometru, zejména pro detekci atmosferických polutantů. Největší úsilí je věnováno vývoji, konstrukci a...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1996 - 1996
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Rentgenová difrakce na dokonalých polovodivých multivrstvách (GA202/93/1150)

materiálem pro velmi rychlé elektronické součástky, a heterostruktury GaAlSb/GaSb...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1993 - 1995
    • •
  • 73 tis. Kč
    • •
  • 146 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Studium perspektivních polovodičových materiálů a struktur pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie a kontaktního profilometru (GA102/97/0427)

Perspektivní materiály a struktury pro elektroniku a optoelektroniku budou studovány pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie. Jedná se o struktury InAs/AlSb, InAs/GaSb/AlSb, GaAs/AlGaAs, ZnS/GaN, GaN/AlN a vrstevnaté p...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 1997 - 1999
    • •
  • 3 564 tis. Kč
    • •
  • 1 665 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Heterorozhraní polovodičových látek AIIIBV - příprava a charakterizace (IAA1010807)

systémů na bázi GaSb/InAs/GaAs/AlAs. Uvedené struktury chceme připravovat na jediné LP...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1998 - 2000
    • •
  • 5 167 tis. Kč
    • •
  • 1 007 tis. Kč
    • •
  • AV ČR
Projekt

Kvantově rozměrné polovodičové struktury připravené technologií MOVPE (GP202/02/D069)

a ultratenkými vrstvami na bázi InAs/GaAs a InSb/GaSb, optimalizace jejich přípravy...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2002 - 2005
    • •
  • 580 tis. Kč
    • •
  • 580 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
  • 1 - 10 z 14