Kvantově rozměrné polovodičové struktury připravené technologií MOVPE

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 2 (SGA02002GA-PD)

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Strained quantum size semiconductor structures prepared by MOVPE

Anotace anglicky

Structures with high values of misfit (5-7%) and strain may result in two possible epitaxial structures according to technological parameters: quantum dots (QD) and isovalent delta-layers (IDL) - i.e. ultrathin quantum wells with thickness of only fewatomic layers. The use of these structures in laser active region may lead to much better parameters compared with conventional quantum wells lasers (lower threshold current density, better temperature stability of threshold current, higher differentialefficiency, higher power and lower losses). The main part of the work will be devoted to the design and MOVPE preparation of QD and IDL structures based on InAs/GaAs and InSb/GaSb, optimisation of technological parameters of preparation and increasinglocalization energy in QDs. Structures suitable for laser active regions in desired wavelength ranges (1300nm - the window in fibre wave guides, midi infrared region) and AlGaAs wave guide prepared without destroying the QD luminescence be the main goal.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10403 - Physical chemistry<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Shrnutí nejdůležitějších dosažených výsledků: Během tří let práce na projektu získala laboratoř MOVPE cenné zkušenosti především s přípravou KT metodou Stranského-Krastanovova. Podařilo se najít technologii přípravy klasických InAs/GaAs KT s dlouhou vlno

Zahájení řešení

1. 1. 2002

Ukončení řešení

1. 1. 2005

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP06-GA0-GP-U/06:6

Datum dodání záznamu

19. 5. 2008

Celkové uznané náklady

580 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

580 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč