Heterorozhraní polovodičových látek AIIIBV - příprava a charakterizace

Poskytovatel

Akademie věd České republiky

Program

Granty výrazně badatelského charakteru zaměřené na oblast výzkumu rozvíjeného v současné době zejména v AV ČR

Veřejná soutěž

—

Hlavní účastníci

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

—

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Preparation of AIIIBV type II. semiconductor heterointerfaces and their characterisation

Anotace anglicky

The idea of the project is to make use of selected physical characterisation techniques (low temperature luminiscence, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray microanalysis, scanning electron and atomic force microscopy and transport measurements) for the study and optimisation of the heterointerfaces in epitaxial layers, heterostructures, multiple quantum wells and superlattices of AIIIBV semiconductors, namely binary, ternary and quaternary compounds (in the GaSb/InAs/GaAs/AlAs systems). These structures will be prepared using the one and only LP-MOVPE machine in the Czech Republic (AIXTRON 200). The main interest will be focused on the recombination processes at heteroboundaries of type I. and II., using photo and electroluminescence measurements and their theoretical analysis. New physical concepts for optimisation of coherent light sources for the mid infrared region (2-5 microns) should be the practical results.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Podařilo se připravit extrémně tenké MOVPE polovodičové vrstvy na bázi A(III)B(V). Na základě našich fyzikálních měření jsme navrhli příslušné modely heterostruktur a výsledky publikovali. Přiblížili jsme se i k aplikaci realizací InAs/GaAs QW laserů.

Zahájení řešení

1. 1. 1998

Ukončení řešení

1. 1. 2000

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2001/AV0/AV01IA/U/N/4:2

Datum dodání záznamu

—

Celkové uznané náklady

5 167 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 007 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč