Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 15 (SGA02012GA-ST)

  • Hlavní účastníci

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    P102-12-2108

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Defects in Wide-Bandgap Semiconductors and Their Impact on Power and High-Temperature Electronics

  • Anotace anglicky

    The aim of the grant project is to perform a detailed study of the point defect structure of semiconductor devices processed from wide bandgap materials the most relevant from which is nowadays the silicon carbide (SiC). The electronic structure will bedetermined experimentally using deep level transient spectroscopy, photoluminescence, I-V and C-V measurement, and other suitable methods. The knowledge of the electronic structure and its dependence on the starting material, processing methods under various conditions, parameters of electron and ion irradiation will be used for: (i) the evaluation of relevant technological processes in terms of the impact of generated defects by these methods on device electrical parameters, the stability of parameters, reliability, and radiation hardness, (ii) the selection of optimal technological processes for their usage in the processing of power devices, (iii) the calibration of generation-recombination models of device simulators.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Hlavní přínos projektu je stanovení vlivu vysokoenergetického záření na stabilitu a spolehlivost polovodičových komponent. Výsledky odpovídají záměru projektu a díky spolupráci se zahraničními pracovišti a firmami posílily mezinárodní vztahy a potvrdily?

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2012

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2014

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    31. 3. 2014

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP15-GA0-GA-U/01:1

  • Datum dodání záznamu

    22. 5. 2015

Finance

  • Celkové uznané náklady

    2 914 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    2 914 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč