Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 15 (SGA02012GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
P102-12-2108
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Defects in Wide-Bandgap Semiconductors and Their Impact on Power and High-Temperature Electronics
Anotace anglicky
The aim of the grant project is to perform a detailed study of the point defect structure of semiconductor devices processed from wide bandgap materials the most relevant from which is nowadays the silicon carbide (SiC). The electronic structure will bedetermined experimentally using deep level transient spectroscopy, photoluminescence, I-V and C-V measurement, and other suitable methods. The knowledge of the electronic structure and its dependence on the starting material, processing methods under various conditions, parameters of electron and ion irradiation will be used for: (i) the evaluation of relevant technological processes in terms of the impact of generated defects by these methods on device electrical parameters, the stability of parameters, reliability, and radiation hardness, (ii) the selection of optimal technological processes for their usage in the processing of power devices, (iii) the calibration of generation-recombination models of device simulators.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Hlavní přínos projektu je stanovení vlivu vysokoenergetického záření na stabilitu a spolehlivost polovodičových komponent. Výsledky odpovídají záměru projektu a díky spolupráci se zahraničními pracovišti a firmami posílily mezinárodní vztahy a potvrdily?
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2012
Ukončení řešení
31. 12. 2014
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
31. 3. 2014
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP15-GA0-GA-U/01:1
Datum dodání záznamu
22. 5. 2015
Finance
Celkové uznané náklady
2 914 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 914 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč