Hloubkové profilování 2D nanostruktur metodami SIMS, TOF-LEIS a XPS pomocí nízkoenergiového iontového odprašování

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 7 (SGA02007GA1PD)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

202/07/P486

Název projektu anglicky

Depth profiling of 2D nanostructures by SIMS, TOF-LEIS and XPS combined with ion beam sputtering

Anotace anglicky

The aim of the proposed project  is to study  (ultra-)thin films/multilayers (2D nanostructures) prepared by ion and molecular beam technologies and to apply and improve methods for in situ depth profiling by SIMS, TOF-LEIS and XPS methods combined withion beam sputtering. Low energy primary ions (200-1500 eV) will be used for the depth profiling. Magnetic multilayers (Co/CoN, Ni/NiN, Co/Al2O3, ....), Ga a GaN (ultra)thin films and "high-k" dielectric films (ZrO2, HfO2, ...) will be studied. These 2D nanostructures have been deposited within the Research Plan of the proposer lab. Information gained by depth profiling will improve the feedback for the optimization of deposition processes and as a result of that will lead to better properties of fabricated 2D nanostructures. The principal motivation of the study of these structures is a detailed learning and understanding of GMR and TMR phenomena and properties of high-k dielectric ultra-thin films.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Podle předložené zprávy byl projekt řešen v souladu s plánem. Bylo instalováno a odzkoušeno zařízení pro nedestruktivní profilování, čímž byly cíle projektu splněny. Slabší stránkou projektu je malý publikační výstup. Ze seznamu publikací řešitele v zah?

Zahájení řešení

1. 1. 2007

Ukončení řešení

31. 12. 2009

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

22. 4. 2009

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP10-GA0-GP-U/03:3

Datum dodání záznamu

1. 3. 2016

Celkové uznané náklady

1 133 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 133 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč