Studium ultrarychlé vodivosti a transportu náboje v tenkých polovodivých vrstvách pomocí terahertzové spektroskopie
Cíle projektu
Ultrarychlá odezva vodivosti v polovodičích a s ní spojený nanoskopický transport náboje představují jednu z klíčových otázek pro rozvoj optoelektronických aplikací. Časově rozlišený experiment optické excitace a terahertzového sondování představuje bezkontaktní metodu studia těchto procesů. Sondovací záření silně interaguje zejména s volnými nebo slabě lokalizovanými pohyblivými náboji. V rámci navrhovaného projektu budeme studovat (i) pikosekundovou a femtosekundovou odezvu nositelů náboje v polovodivých vrstvách pro ultrarychlou optoelektroniku (v polovodičích s malým gapem a ultrarychlým záchytem elektronů) a (ii) nanoskopický transport náboje bezprostředně po excitaci fs pulsem v neuspořádaných polovodivých systémech pro technologii solárních článků (nanostrukturovaný Si, donor-akceptorové organické filmy). Pro interpretaci výsledků navrhneme adekvátní modely, kterými chceme přispět k celkovému pochopení rychlých procesů v neuspořáných systémech.
Klíčová slova
photoconductivitycharge carrier dynamicsterahertztime-resolved spectroscopyultrafast semiconductorsdisordered semiconductorsthin films
Veřejná podpora
Poskytovatel
Akademie věd České republiky
Program
Granty výrazně badatelského charakteru zaměřené na oblast výzkumu rozvíjeného v současné době zejména v AV ČR
Veřejná soutěž
Výzkumné granty 9 (SAV02009-A)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
IAA100100902
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Study of ultrafast photoconductivity and charge transport in thin semiconducting layers using terahertz spectroscopy
Anotace anglicky
Ultrafast conductivity in semiconductors and the related nanoscopic charge transport are the key issues for the development of optoelectronic applications. Time-resolved optical pump ? THz probe experiments constitute a contact-free method of the study of these processes. In semiconductors the probing radiation exhibits a strong interaction with free or weakly localized mobile charges. Within the proposed project we will study (i) picosecond and femtosecond response of charge carriers in semiconductor films for ultrafast optoelectronics (in semiconductors with small gap and ultrafast carrier trapping) and (ii) nanoscopic transport of charges immediately after photo-excitation in disordered semiconducting systems for solar cell technologies (nanostructured Si, donor-acceptor organic films). We will develop adequate models for the interpretation of our experimental data which are expected to improve the overall understanding of the fast processes in disordered systems.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byl vyvinut model nanoskopického transportu náboje a vysvěleny ultrarychlé transportní jevy v nanostrukturovaných TiO2, ZnO pokrytých fotocitlivým barvivem, v porézním TiO2, v nanokrystalickém CdS, v mikrokrystalickém Si a v těžkými ionty ozářeném InGaAs
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2009
Ukončení řešení
31. 12. 2011
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
18. 3. 2011
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP12-AV0-IA-U/02:2
Datum dodání záznamu
28. 6. 2013
Finance
Celkové uznané náklady
2 587 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
2 587 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 587 tis. Kč
Statní podpora
2 587 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Akademie věd České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2009 - 31. 12. 2011