Mechanismus zářivé rekombinace v subnanometrových InAs/GaAs laserových strukturách

Poskytovatel
Akademie věd České republiky
Program
Granty výrazně badatelského charakteru zaměřené na oblast výzkumu rozvíjeného v současné době zejména v AV ČR
Veřejná soutěž
Výzkumné granty 3 (SAV02003-A)
Hlavní účastníci
České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická<br>Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—

Název projektu anglicky
Radiative recombination machanism of subnanometric InAs/GaAs laser structures
Anotace anglicky
The proposers have been preparing and studyingsemiconductor laser structures with one or more thin InAs layers (several monoatomic layer thick) and only several nanometers apart for several years already. The shift of the position of the El, Pl maxima and that of the absorption edge depend on the thickness, number and separation of these InAs layers and has been found to be in the range of hundreds of MeV. The present theories predict shifts in the range of tens of MeV. New laser structures will be proposed and prepared by MOVPE and studied by EL, PL, and in plane photoconduction spectroscopy. These results will be used for verification of the theoretical models for simulation of the radiative recombination process. The aim of the project is to proposea model, capable of explaining the experimentaly measured shifts of the emission and absorption energies with the change of configuration of the layer structure and use these for the process of optimisation of laser performance.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Byly připraveny kvantové jámy a tečky z polovodičů AIIIBV a získány zásadní poznatky o růstu ultratenkých vrstev pomocí MOVPE. Byly měřeny a modelovány mechanismy zářivé rekombinace v extrémně napnutých InAs/GaAs vrstvách a jejich vliv na činnost laserů.

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP06-AV0-IA-U/04:2
Datum dodání záznamu
26. 9. 2007

Podobné projekty(10)