Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
IBS1010004

Technologická laboratoř pro zpracování polovodičových heterostruktur GaAs/GaAlAs včetně kvantově rozměrných struktur do stádia využitelných vzorků

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Akademie věd České republiky

  • Program

    Program podpory cíleného výzkumu a vývoje

  • Veřejná soutěž

    SAV0-SS2000

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Technological laboratory for growth and processing of semiconductor GaAs/GaAlAs heterostructures including quantum devices

  • Anotace anglicky

    Project proposal connects experimental basis of semiconductor basic research in FzÚ AV ČR with applied research of semiconductor devices in FEL ČVUT. The aim of this project is to develop laboratory samples of high frequency devides, based on expoitationof new quantum phenomena, and to test its practically useful parameters. Project intention is to make use of tehnological know-how, obtainedin FzÚ at growing quantum heterostructures by MBE as well as results of their investigation by characterization methods of low temperature megnetotransport and photoluminescence. However, the laboratory is not at present time equipped sufficiently for applied research. It follows the equipment of the investigator's laboratory should be improved to and adequate level to enable device manufacturing and applicability measurements.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    V průběhu řešení projektu byla zvládnuta příprava transistorových struktur HEMT a diodových struktur RTD a provedeno měření jejich vlastností. Závěrečná zpráva byla projednána formou veřejné oponentury.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2000

  • Ukončení řešení

    1. 1. 2003

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP/2004/AV0/AV04IB/U/N/4:3

  • Datum dodání záznamu

    8. 10. 2004

Finance

  • Celkové uznané náklady

    11 088 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    5 907 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    5 181 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč