Elektronová litografie pro reliéfní submikrometrové difraktivní struktury

Poskytovatel

Akademie věd České republiky

Program

Program podpory cíleného výzkumu a vývoje

Veřejná soutěž

SAV0-SS2000

Hlavní účastníci

Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Submicrometer relief diffractive structures made by electron-beam lithography.

Anotace anglicky

E-beam lithography is generally recognized and used tool in microelectronics to generate geometrical patterns with feture siye under one micrometer. Considering e-beam lithography with the resolution of 0.1um it is possible to use this technology also for the fabrication of the diffractive microstructures, which are able to form optical waves by using diffraction phenomenon. The realization of such structures however requiers special facilities and techniques which are different from those used in themicroelectronics technology. This differences could be characterize as follows: 1) diffractive structures are basically sub-micrometer structures, 2) it is necessary to study relief profile of the structure, 3) process enormous data volume (typically GB) in real time, 4) rigorously solve proximity effect in relation to a specific lithograph and 5) guarantee errorless function and operating parameters during a long time. The project is focused on solving the above mentioned problems.

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

BH - Optika, masery a lasery

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Dosažené výsledky umožňují zápis velkoplošných difraktivních prvků typu syntetických hologramů ve vrstvě PMMA pomocí binárních reliefních mřížek. Byly získány originální výsledky pro využití v průmyslových aplikacích v oblasti konfonkální mikroskopie.

Zahájení řešení

1. 1. 2000

Ukončení řešení

1. 1. 2002

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2003/AV0/AV03IB/U/N/2:1

Datum dodání záznamu

25. 6. 2003

Celkové uznané náklady

2 088 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 433 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

655 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč