Elektronová litografie pro reliéfní submikrometrové difraktivní struktury
Cíle projektu
Elektronová litografie je všeobecně uznávanou technikou v technologii mikroelektroniky pro generaci geometrických obrazců s detaily submikrometrových rozměrů. Při rozlišení na úrovni řádově 0.1um je možné využít tuto technologii i pro přípravu různých difraktivních struktur, které jsou schopny formovat vlnoplochy optických vln při využití jevu difrakce. Realizace difraktivních struktur však vyžaduje zvládnutí technologií a technik, které mají odlišnosti oproti mikroelektronickým strukturám. Tyto odlišnosti je možné charakterizovat 1) zásadně submikrometrovými detaily, 2) definovaným profilem reliéfu záznamového materiálu, 3) zpracováním velkého objemu dat (řádově GB), 4) nutností řešit rigorózně tzv. proximity efekt pro daný litograf a 5) dlouhodobým bezchybným chodem zařízení při zajištění stálosti jeho provozních parametrů během expozice. Projekt je zaměřen na řešení výše uvedených problematik, aby mohl být stávající litograf prakticky využit v oblasti difraktivní optiky.
Klíčová slova
optical diffractive structurediffraction gratingsynthetic relief structuresubwavelength structureelectron-beam lithographymicrofavrication technology
Veřejná podpora
Poskytovatel
Akademie věd České republiky
Program
Program podpory cíleného výzkumu a vývoje
Veřejná soutěž
SAV0-SS2000
Hlavní účastníci
Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
—
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Submicrometer relief diffractive structures made by electron-beam lithography.
Anotace anglicky
E-beam lithography is generally recognized and used tool in microelectronics to generate geometrical patterns with feture siye under one micrometer. Considering e-beam lithography with the resolution of 0.1um it is possible to use this technology also for the fabrication of the diffractive microstructures, which are able to form optical waves by using diffraction phenomenon. The realization of such structures however requiers special facilities and techniques which are different from those used in themicroelectronics technology. This differences could be characterize as follows: 1) diffractive structures are basically sub-micrometer structures, 2) it is necessary to study relief profile of the structure, 3) process enormous data volume (typically GB) in real time, 4) rigorously solve proximity effect in relation to a specific lithograph and 5) guarantee errorless function and operating parameters during a long time. The project is focused on solving the above mentioned problems.
Vědní obory
Kategorie VaV
—
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Dosažené výsledky umožňují zápis velkoplošných difraktivních prvků typu syntetických hologramů ve vrstvě PMMA pomocí binárních reliefních mřížek. Byly získány originální výsledky pro využití v průmyslových aplikacích v oblasti konfonkální mikroskopie.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2000
Ukončení řešení
1. 1. 2002
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
—
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP/2003/AV0/AV03IB/U/N/2:1
Datum dodání záznamu
25. 6. 2003
Finance
Celkové uznané náklady
2 088 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
1 433 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
655 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
2 088 tis. Kč
Statní podpora
1 433 tis. Kč
68%
Poskytovatel
Akademie věd České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2000 - 01. 01. 2002