Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku.

Název projektu anglicky
Quantum size effect in optoelectronic properties of nanostructures embedded in semiconductor layers.
Anotace anglicky
We want to explain the influence of the technological process of preparation of the samples on the transfer of electronic charge or of the electronic excitation energy between individual elements of the semiconductor nanostructures in the materials of the type of InAs, GaN or Si and Ge. In the theoretical work we want to explain the influence of the magnitude of the nanocrystalline particles and the influence of the processes of the electron scattering on phonons in the transfer of electronic charge andenergy in the nanostructures. We expect that the obtained knowledge will help us to understand the processes of the conversion of the light in the photovoltaic devices and also to understand the origin of the dark current in the photodetectors of the infrared light based on the quantum dots. We also expect that the gained knowledge will help us to better understand the photoluminescence and electroluminescence of semiconductors with indirect gap , like Si and diamond.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BH - Optika, masery a lasery
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Mezinárodní bilaterální projekt LH12236 - Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku (2012-2015) byl zaměřen na spolupráci s Ústavem polovodičové techniky v Novosibisku (Rusko) v oblasti tenkovrstvých struktur na bázi a-Si:H se zabudovanými nanočásticemi za účelem konverze světelné a elektrické energie a to jak po stránce technologické, tak po stránce rozvoje analytických metod a teoretických modelů.

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP16-MSM-LH-U/01:1
Datum dodání záznamu
9. 10. 2017

Podobné projekty(10)