Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)
Cíle projektu
Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii. Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát. Výzkum a vývoj nové generace TIGBT součástek pro náročné aplikace. Výzkum a vývoj nových metodik měření parametrů polovodičových substrátů a součástek.
Klíčová slova
IGBTTIGBTTrench-Insulated-Gate-Bipolar-TransistorInsulated-Gate-Bipolar-Transistor, TransistorSemiconductorSiliconTrenchGateGetteringSOISilicon-On-Insulator
Veřejná podpora
Poskytovatel
Technologická agentura ČR
Program
Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON
Veřejná soutěž
EPSILON 1 (STA02015TH)
Hlavní účastníci
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
2015TH01010419
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Development of Novel Technologies for Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT) Manufacturing
Anotace anglicky
Research and development of advanced wafers with SOI structure as a substrate material for TIGBT technology. Research and development of manufacturing process of TIGBT technology for reduction of conductivity and switching losses. Research and development of new generation of TIGBT devices for high efficiency applications. Research and development of new methods for measurements of parameters of semiconductor substrates and devices.
Vědní obory
Kategorie VaV
VV - Experimentální vývoj
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
JJ - Ostatní materiály
CEP - další vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
20201 - Electrical and electronic engineering
20502 - Paper and wood
20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)
21001 - Nano-materials (production and properties)
21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Projekt byl řešen na vysoké odborné úrovni a splnil zadání v plném rozsahu. Vzhledem k dosaženým výsledkům lze konstatovat, že projekt uspěl s vynikajícími výsledky.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2015
Ukončení řešení
31. 12. 2017
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
28. 2. 2017
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Systémové označení dodávky dat
CEP18-TA0-TH-U/05:1
Datum dodání záznamu
1. 11. 2018
Finance
Celkové uznané náklady
32 969 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
19 233 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
13 735 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
32 969 tis. Kč
Statní podpora
19 233 tis. Kč
58%
Poskytovatel
Technologická agentura ČR
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2015 - 31. 12. 2017