Filtry
Atomistické simulace epitaxního růstu mnohasložkových materiálů (OC P3.130)
Modelování fyzikálních mechanismů během epitaxního růstu technologicky důležitých kovových i polovodičových materiálů pomocí rozsáhlých numerických simulací. Bude vyšetřován vliv příměsí na morfologii a kinetiku růstu a počáteční stadia heteroepitaxn...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 030 tis. Kč •
- 785 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (39%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Experimentální vývoj MOCVD aparatur pro vysokoteplotní růst A(III)B(V) polovodičů a aplikovaný výzkum růstu metal-nitridových epitaxních tenkých vrstev (TH02020926)
- vývoj MOCVD aparatury pro epitaxní růst A(III)B(V) vrstev na substrátech do průměru 100 mm - testování růstu MOCVD epitaxních indium-nitridových vrstev s využitím existující „nízkoteplotní“ MOCVD aparatury na pracovišti CEITEC-VUT na substrátech do...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2017 - 2019 •
- 35 026 tis. Kč •
- 20 987 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (60%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Studium epitaxních jevů ve feroelektrických nanovrstvách pomocí spektrální elipsometrie (GA15-13778S)
Projekt se zabývá experimentálním výzkumem elektronových přechodů v perovskitových epitaxních feroelektrických nanovrstvách. Použití kombinace elipsometrické metody, makroskopického výzkumu feroelektrické polarizace a jiných charakterizačních metod n...
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
- 2015 - 2017 •
- 4 730 tis. Kč •
- 4 730 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Deposice epitaxních vrstev na/v porezních polovodičích A3B5 (GA202/06/1315)
V rámci rozvoje nanotechnologií je navržený výzkum zameřen do nové oblasti přípravy epitaxních struktur na/v porézních podložkách tvořených polovodiči A3B5, hlavne InP, GaAs a GaP. Existence mikro a nanopórů vytváří specifické podmínky pro následný e...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2007 •
- 1 043 tis. Kč •
- 1 043 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2007
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Řízená příprava polovodičových kvantových teček (IAA100100719)
Cílem tohoto projektu je řízená příprava tvaru a velikosti polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs, později i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnatelné ve...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 - 2009 •
- 1 763 tis. Kč •
- 1 763 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů (GAP108/10/0253)
Navrhovaný projekt se zaměří na epitaxní růst heterostruktur s velkým mřížkovým nepřizpůsobením na porézních substrátech polovodičů A3B5 a na depozici kovových a polovodičových materiálů do mikropórů. Příprava vysoce kvalitních mřížkově nepřizpůsoben...
JJ - Ostatní materiály
- 2010 - 2012 •
- 2 431 tis. Kč •
- 2 431 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2010 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích (ME 334)
epitaxial layers ofGaN by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies epitaxial GaN layers with low density of defects by this method.......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 225 tis. Kč •
- 1 645 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (74%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V (LD12014)
Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2012 - 2013 •
- 1 000 tis. Kč •
- 1 000 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 3. 2012 - 30. 11. 2013
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics (8F15002)
InGaN layers, quantum wells and wires are the most important parts of such devices as blue/green LEDs, superluminescent LEDs (SLEDs), laser diodes (LDs), and photovoltaic cells. However, InGaN is very difficult to be grown because of low growth
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 - 2018 •
- 3 480 tis. Kč •
- 3 480 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 10. 2015 - 31. 12. 2018
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů (GAP204/12/0595)
Trojrozměrné topologické izolanty mají pozoruhodné fyzikální vlastnosti povrchových elektronových stavů. Dosud však bylo provedeno pouze několik experimentů na epitaxních vrstvách. Cílem tohoto projektu je studium elektronových vlastností epitaxních ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 - 2014 •
- 4 594 tis. Kč •
- 4 594 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2012 - 31. 12. 2014
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 10 z 430