Deposice epitaxních vrstev na/v porezních polovodičích A3B5

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

202/06/1315

Název projektu anglicky

Epitaxial overgrowth on/in porous A3B5 semiconductors

Anotace anglicky

In the scope of the nanotechnologies development the epitaxial growth on /in porous substrates A3B5,(InP, GaAs and GaP) will be investigated. Micro and nanopores layers could  improve the structural perfection of the highly mismatched heterojunction whenmode of the lateral overgrowth is realized. Three particular applications of the porous layers will be studied. At first lateral overgrowth methode, secondly deposition of the heterojunction material  (ZnO) into the pores area and micro/nanopores layersfor the active structure separation from the substrate in case of multiple deposition of the struucture on the same substrate. Electrochemical technology of the micro/nano pores production in A3B5 semiconductors is a research subject in our laboratory for more than three years and epitaxial deposition of the A3B5 semiconductors from the vapor and liquid phase for optoelectronic devices has been investigated for nearly four decades. Research of the defects structure by electron microscopy ,

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

JI - Kompositní materiály

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20505 - Composites (including laminates, reinforced plastics, cermets, combined natural and synthetic fibre fabrics; filled composites)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

V průběhu řešení tohoto dvouletého Grantu byla dořešena příprava anodického vytváření mikro a nanoporů v polovodičích A3B5, zejména InP, GaAs, GaP a GaInP/GaAs. V případě InP byly nalezeny podmínky k vytváření krystalografických (CO)porů s orientací (221

Zahájení řešení

1. 1. 2006

Ukončení řešení

31. 12. 2007

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

2. 5. 2007

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP08-GA0-GA-U/04:3

Datum dodání záznamu

16. 12. 2008

Celkové uznané náklady

1 043 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 043 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč