Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00177016%3A_____%2F19%3AN0000130" target="_blank" >RIV/00177016:_____/19:N0000130 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216224:14310/19:00110690
Výsledek na webu
<a href="https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.115424" target="_blank" >https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.100.115424</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.115424" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.100.115424</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the confinement potentials for k!=0 and k=0 conduction and k=0 valence bands, through the formulation of k.p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of Gamma transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.
Název v anglickém jazyce
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
Popis výsledku anglicky
Detailed theoretical studies of the electronic structure of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots are presented. This system is unique since it exhibits concurrently direct and indirect transitions both in real and momentum space and is attractive for applications in quantum information technology, showing advantages as compared to the widely studied (In,Ga)As/GaAs dots. We proceed from the inspection of the confinement potentials for k!=0 and k=0 conduction and k=0 valence bands, through the formulation of k.p calculations for k-indirect transitions, up to the excitonic structure of Gamma transitions. Throughout this process we compare the results obtained for dots on both GaP and GaAs substrates, enabling us to make a direct comparison to the (In,Ga)As/GaAs quantum dot system. We also discuss the realization of quantum gates.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B
ISSN
24699950
e-ISSN
—
Svazek periodika
100
Číslo periodika v rámci svazku
11
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
14
Strana od-do
115424-115437
Kód UT WoS článku
000485761800006
EID výsledku v databázi Scopus
—