Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of PIN diode energy traps created by neutrons

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11110%2F13%3A10191311" target="_blank" >RIV/00216208:11110/13:10191311 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21220/13:00214490 RIV/68407700:21670/13:00214490

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/8/03/C03014" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/8/03/C03014</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/8/03/C03014" target="_blank" >10.1088/1748-0221/8/03/C03014</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of PIN diode energy traps created by neutrons

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Characterization of radiation defects is still ongoing and finds greater application in the increasing radiation doses on semiconductor detectors in experiments. Studying the changes of silicon PIN diode for high doses of radiation is the fundamental motivation for our measurements. In this article we describe the behavior of the PIN diode and development of the disorder caused by neutrons from a 252Cf and doses up to 8 Gy. The calibration curve for PIN diode shows the effect of disorders as the changesof the voltampere characteristics depending on the dose of neutron irradiation. The measured values for defects are in good agreement with created energy traps.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of PIN diode energy traps created by neutrons

  • Popis výsledku anglicky

    Characterization of radiation defects is still ongoing and finds greater application in the increasing radiation doses on semiconductor detectors in experiments. Studying the changes of silicon PIN diode for high doses of radiation is the fundamental motivation for our measurements. In this article we describe the behavior of the PIN diode and development of the disorder caused by neutrons from a 252Cf and doses up to 8 Gy. The calibration curve for PIN diode shows the effect of disorders as the changesof the voltampere characteristics depending on the dose of neutron irradiation. The measured values for defects are in good agreement with created energy traps.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BO - Biofyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LA08032" target="_blank" >LA08032: Mezinárodní experiment ATLAS-CERN</a><br>

  • Návaznosti

    V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Instrumentation

  • ISSN

    1748-0221

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    8

  • Číslo periodika v rámci svazku

    March

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000316990700014

  • EID výsledku v databázi Scopus