Study of PIN Diode Energy Traps Created by Neutrons
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F12%3A00200920" target="_blank" >RIV/68407700:21220/12:00200920 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21670/12:00200920
Výsledek na webu
<a href="http://iworid2012.fis.uc.pt/" target="_blank" >http://iworid2012.fis.uc.pt/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of PIN Diode Energy Traps Created by Neutrons
Popis výsledku v původním jazyce
Characterization of radiation defects is still ongoing and finds greater application in the increasing radiation doses on semiconductor detectors in experiments. Studying the changes of silicon PIN diode for high doses of radiation is the fundamental motivation for our measurements. In this article we describe the behavior of the PIN diode and development of the disorder caused by neutrons from a 252Cf and doses up to 8 Gy. The calibration curve for PIN diode shows the effect of disorders as the changesof the voltampere characteristics depending on the dose of neutron irradiation. The measured values for defects are in good agreement with created energy traps. The results are compared with similar already published data obtained within RD50 collaboration.
Název v anglickém jazyce
Study of PIN Diode Energy Traps Created by Neutrons
Popis výsledku anglicky
Characterization of radiation defects is still ongoing and finds greater application in the increasing radiation doses on semiconductor detectors in experiments. Studying the changes of silicon PIN diode for high doses of radiation is the fundamental motivation for our measurements. In this article we describe the behavior of the PIN diode and development of the disorder caused by neutrons from a 252Cf and doses up to 8 Gy. The calibration curve for PIN diode shows the effect of disorders as the changesof the voltampere characteristics depending on the dose of neutron irradiation. The measured values for defects are in good agreement with created energy traps. The results are compared with similar already published data obtained within RD50 collaboration.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BF - Elementární částice a fyzika vysokých energií
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of IECON 2012 - 38th Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society and 2012 6th IEEE International Conference on E-Learning in Industrial Electronics (ICELIE)
ISBN
978-1-4673-2420-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
165
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Montreal
Místo konání akce
Montreal
Datum konání akce
25. 10. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—