Phonon and Structural Changes in Deformed Bernal Stacked Bilayer Graphene

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11310%2F12%3A10130686" target="_blank" >RIV/00216208:11310/12:10130686 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61388955:_____/12:00376011

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/nl203565p" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/nl203565p</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/nl203565p" target="_blank" >10.1021/nl203565p</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Phonon and Structural Changes in Deformed Bernal Stacked Bilayer Graphene

Popis výsledku v původním jazyce

We present the first Raman spectroscopic study of Bernal bilayer graphene flakes under uniaxial tension. Apart from a purely mechanical behavior in flake regions where both layers are strained evenly, certain effects stem from inhomogeneous stress distribution across the layers. These phenomena such as the removal of inversion symmetry in bilayer graphene may have important implications in the band gap engineering, providing an alternative route to induce the formation of a band gap.

Název v anglickém jazyce

Phonon and Structural Changes in Deformed Bernal Stacked Bilayer Graphene

Popis výsledku anglicky

We present the first Raman spectroscopic study of Bernal bilayer graphene flakes under uniaxial tension. Apart from a purely mechanical behavior in flake regions where both layers are strained evenly, certain effects stem from inhomogeneous stress distribution across the layers. These phenomena such as the removal of inversion symmetry in bilayer graphene may have important implications in the band gap engineering, providing an alternative route to induce the formation of a band gap.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CG - Elektrochemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nano Letters

ISSN

1530-6984

e-ISSN

—

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

687-693

Kód UT WoS článku

000299967800027

EID výsledku v databázi Scopus

—