Origins of promising thermoelectric performance in quaternary selenide BaAg2SnSe4
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11310%2F19%3A10409810" target="_blank" >RIV/00216208:11310/19:10409810 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=CGXS5dWd0D" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=CGXS5dWd0D</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.7567/1882-0786/ab29e1" target="_blank" >10.7567/1882-0786/ab29e1</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Origins of promising thermoelectric performance in quaternary selenide BaAg2SnSe4
Popis výsledku v původním jazyce
Motivated by the recent discovery of low thermal conductivity in 1-2-1-4 quaternary selenides, we studied the origins of promising thermoeletric performance of BaAg2SnSe4 using ab initio calculations. We have shown that BaAg2SnSe4 is a model material of valley degeneracy, either conduction valleys or valence valleys are highly degenerate, yielding promising electronic transport performance. Meanwhile, the extremely low thermal conductivity arises primarily from lattice contribution. Due to both advantages of electronic and phonon transport properties, the calculated thermoelectric figure of merit ZT exceeds 1 at room temperature. Our results highlight the advantages of quaternary BaAg2SnSe4 as a promising bulk thermoelectric material.
Název v anglickém jazyce
Origins of promising thermoelectric performance in quaternary selenide BaAg2SnSe4
Popis výsledku anglicky
Motivated by the recent discovery of low thermal conductivity in 1-2-1-4 quaternary selenides, we studied the origins of promising thermoeletric performance of BaAg2SnSe4 using ab initio calculations. We have shown that BaAg2SnSe4 is a model material of valley degeneracy, either conduction valleys or valence valleys are highly degenerate, yielding promising electronic transport performance. Meanwhile, the extremely low thermal conductivity arises primarily from lattice contribution. Due to both advantages of electronic and phonon transport properties, the calculated thermoelectric figure of merit ZT exceeds 1 at room temperature. Our results highlight the advantages of quaternary BaAg2SnSe4 as a promising bulk thermoelectric material.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Express
ISSN
1882-0778
e-ISSN
—
Svazek periodika
12
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
071006
Kód UT WoS článku
000473125700002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85073659881