Experimentální systém pro růst tenkých vrstev GaN a charakterizaci metodami elektronové spektroskopie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F04%3A00003072" target="_blank" >RIV/00216208:11320/04:00003072 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Experimental system for GaN thin films growth and in situ characterisation by electron spectroscopic methods

Popis výsledku v původním jazyce

Experimental system for GaN thin films growth and in situ characterisation by electron spectroscopic methods

Název v anglickém jazyce

Experimental system for GaN thin films growth and in situ characterisation by electron spectroscopic methods

Popis výsledku anglicky

Experimental system for GaN thin films growth and in situ characterisation by electron spectroscopic methods

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

76

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

471-476

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—