Vliv vrstev nitridu křemíku na difúzní délku minoritních nosičů v Si
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F06%3A00002429" target="_blank" >RIV/00216208:11320/06:00002429 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Vliv vrstev nitridu křemíku na difúzní délku minoritních nosičů v Si
Popis výsledku v původním jazyce
Vliv vrstev nitridu křemíku na difúzní délku minoritních nosičů v Si
Název v anglickém jazyce
Influence of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length In Silicon Wafers
Popis výsledku anglicky
Influence of Silicon Nitride Layers on the Minority Carrier Diffusion Length In Silicon Wafers
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Sborník 2.česká fotovoltaická konference
ISBN
80-239-7361-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
72-75
Název nakladatele
Czech Re Agency
Místo vydání
Brno, ČR
Místo konání akce
Brno, ČR
Datum konání akce
1. 1. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—