Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Monokrystalické magneto-tunelové přechody Fe/Cr/Fe/MgO/Fe připravené na GaAs(001) substrátech (Článek č. 08C908)

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F06%3A00002684" target="_blank" >RIV/00216208:11320/06:00002684 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Single-crystalline Fe/Cr/Fe/MgO/Fe magnetotunnel junctions grown on GaAs(001) (Article No. 08C908)

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Fe/MgO/Fe/Cr/Fe tunneling structures were epitaxially grown directly on GaAs(001) without buffer layer. Interdiffusion in the Fe/GaAs interface was investigated using conversion electron Mossbauer spectroscopy. An independent magnetization switching in the Fe electrodes was achieved by pinning the magnetization of the Fe-top electrode by antiferromagnetic coupling across a Cr spacer to another Fe film. For transport measurements, optical lithography and ion etching were applied to reduce the junction area. A tunneling magnetoresistance of 10%-12% at room temperature was found. (C) 2006 American Institute of Physics.

  • Název v anglickém jazyce

    Single-crystalline Fe/Cr/Fe/MgO/Fe magnetotunnel junctions grown on GaAs(001) (Article No. 08C908)

  • Popis výsledku anglicky

    Fe/MgO/Fe/Cr/Fe tunneling structures were epitaxially grown directly on GaAs(001) without buffer layer. Interdiffusion in the Fe/GaAs interface was investigated using conversion electron Mossbauer spectroscopy. An independent magnetization switching in the Fe electrodes was achieved by pinning the magnetization of the Fe-top electrode by antiferromagnetic coupling across a Cr spacer to another Fe film. For transport measurements, optical lithography and ion etching were applied to reduce the junction area. A tunneling magnetoresistance of 10%-12% at room temperature was found. (C) 2006 American Institute of Physics.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Physics

  • ISSN

    0021-8979

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    99

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    1-3

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus