Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00206487" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00206487 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Aluminum forms various structures on Si(100)-2x1. The most important of these are one-dimensional chains which are formed at room temperature and Si-Al clusters which can form c(4x12) reconstruction at temperature about 500 °C. STS spectra were measuredabove Al chains, in its close surroundings and above typical defects which are formed on the chains. One type of defect which appears at temperatures from 200 to 300 °C has a metallic tunneling spectrum. Si dimers adjacent to Al chains have tunneling spectra slightly different from a clean silicon. It indicates that they can have different reactivity. The clusters forming the c(4x12) reconstruction have semiconductive tunneling spectra with a band gap about 1.2 eV.

  • Název v anglickém jazyce

    Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study

  • Popis výsledku anglicky

    Aluminum forms various structures on Si(100)-2x1. The most important of these are one-dimensional chains which are formed at room temperature and Si-Al clusters which can form c(4x12) reconstruction at temperature about 500 °C. STS spectra were measuredabove Al chains, in its close surroundings and above typical defects which are formed on the chains. One type of defect which appears at temperatures from 200 to 300 °C has a metallic tunneling spectrum. Si dimers adjacent to Al chains have tunneling spectra slightly different from a clean silicon. It indicates that they can have different reactivity. The clusters forming the c(4x12) reconstruction have semiconductive tunneling spectra with a band gap about 1.2 eV.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GD202%2F09%2FH041" target="_blank" >GD202/09/H041: Fyzika nanostruktur</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    WDS´09 Proceedings of Contributed Papers: Part II - Physics of Plasmas and Ionized Media

  • ISBN

    978-80-7378-103-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Matfyzpress

  • Místo vydání

    Prague

  • Místo konání akce

    Prague

  • Datum konání akce

    1. 1. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku