Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00206487" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00206487 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study
Popis výsledku v původním jazyce
Aluminum forms various structures on Si(100)-2x1. The most important of these are one-dimensional chains which are formed at room temperature and Si-Al clusters which can form c(4x12) reconstruction at temperature about 500 °C. STS spectra were measuredabove Al chains, in its close surroundings and above typical defects which are formed on the chains. One type of defect which appears at temperatures from 200 to 300 °C has a metallic tunneling spectrum. Si dimers adjacent to Al chains have tunneling spectra slightly different from a clean silicon. It indicates that they can have different reactivity. The clusters forming the c(4x12) reconstruction have semiconductive tunneling spectra with a band gap about 1.2 eV.
Název v anglickém jazyce
Aluminum Nanostructures on Si(100)-2x1: STM/STS Study
Popis výsledku anglicky
Aluminum forms various structures on Si(100)-2x1. The most important of these are one-dimensional chains which are formed at room temperature and Si-Al clusters which can form c(4x12) reconstruction at temperature about 500 °C. STS spectra were measuredabove Al chains, in its close surroundings and above typical defects which are formed on the chains. One type of defect which appears at temperatures from 200 to 300 °C has a metallic tunneling spectrum. Si dimers adjacent to Al chains have tunneling spectra slightly different from a clean silicon. It indicates that they can have different reactivity. The clusters forming the c(4x12) reconstruction have semiconductive tunneling spectra with a band gap about 1.2 eV.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GD202%2F09%2FH041" target="_blank" >GD202/09/H041: Fyzika nanostruktur</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
WDS´09 Proceedings of Contributed Papers: Part II - Physics of Plasmas and Ionized Media
ISBN
978-80-7378-103-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
Matfyzpress
Místo vydání
Prague
Místo konání akce
Prague
Datum konání akce
1. 1. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—