Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Magnetotransport and THz-Optical Investigations at Devices with HgTe Quantum Wells

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10051609" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10051609 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Magnetotransport and THz-Optical Investigations at Devices with HgTe Quantum Wells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We investigated the magnetoconductivity and the Terahertz (THz) photo-conductivity of devices with HgTe quantum wells embedded in barrier layers of HgCdTe. For the photoconductivity measurements, a THz laser system (p-Ge-Laser) with tunable output in thewavelength range 120 um { lambda { 180 um was applied. The THz laser radiation is used in order to excite charge carriers over the Landau-gap. The response of the sample to the laser impulses is in 2D-samples in the quantum Hall (QH) regime measured inorder to receive data of the relaxation of the charge carriers. In this presentation we present photoconduction measurements of the HgTe-quantum well in Hall bar, Corbino as well as combined Corbino-Hall bar geometry in the QH-regime. The material systemHgTe/HgCdTe is characterized by a small effective mass compared to GaAs and accordingly smaller magnetic fields below 2 T for operation for the appropriate cyclotron energy.

  • Název v anglickém jazyce

    Magnetotransport and THz-Optical Investigations at Devices with HgTe Quantum Wells

  • Popis výsledku anglicky

    We investigated the magnetoconductivity and the Terahertz (THz) photo-conductivity of devices with HgTe quantum wells embedded in barrier layers of HgCdTe. For the photoconductivity measurements, a THz laser system (p-Ge-Laser) with tunable output in thewavelength range 120 um { lambda { 180 um was applied. The THz laser radiation is used in order to excite charge carriers over the Landau-gap. The response of the sample to the laser impulses is in 2D-samples in the quantum Hall (QH) regime measured inorder to receive data of the relaxation of the charge carriers. In this presentation we present photoconduction measurements of the HgTe-quantum well in Hall bar, Corbino as well as combined Corbino-Hall bar geometry in the QH-regime. The material systemHgTe/HgCdTe is characterized by a small effective mass compared to GaAs and accordingly smaller magnetic fields below 2 T for operation for the appropriate cyclotron energy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Low Temperature Physics

  • ISSN

    0022-2291

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    159

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1-2

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000275415400045

  • EID výsledku v databázi Scopus