Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Obviating Ligand Exchange Preserves the Intact Surface of HgTe Colloidal Quantum Dots and Enhances Performance of Short Wavelength Infrared Photodetectors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27740%2F24%3A10254127" target="_blank" >RIV/61989100:27740/24:10254127 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306518" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306518</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.202306518" target="_blank" >10.1002/adma.202306518</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Obviating Ligand Exchange Preserves the Intact Surface of HgTe Colloidal Quantum Dots and Enhances Performance of Short Wavelength Infrared Photodetectors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A large volume, scalable synthesis procedure of HgTe quantum dots (QDs) capped initially with short-chain conductive ligands ensures ligand exchange-free and simple device fabrication. An effective n- or p-type self-doping of HgTe QDs is achieved by varying cation-anion ratio, as well as shifting the Fermi level position by introducing single- or double-cyclic thiol ligands, that is, 2-furanmethanethiol (FMT) or 2,5-dimercapto-3,4-thiadiasole (DMTD) in the synthesis. This allows for preserving the intact surface of the HgTe QDs, thus ensuring a one order of magnitude reduced surface trap density compared with HgTe subjected to solid-state ligand exchange. The charge carrier diffusion length can be extended from 50 to 90 nm when the device active area consists of a bi-layer of cation-rich HgTe QDs capped with DMTD and FMT, respectively. As a result, the responsivity under 1340 nm illumination is boosted to 1 AWMINUS SIGN 1 at zero bias and up to 40 AWMINUS SIGN 1 under MINUS SIGN 1 V bias at room temperature. Due to high noise current density, the specific detectivity of these photodetectors reaches up to 1010 Jones at room temperature and under an inert atmosphere. Meanwhile, high photoconductive gain ensures a rise in the external quantum efficiency of up to 1000% under reverse bias.

  • Název v anglickém jazyce

    Obviating Ligand Exchange Preserves the Intact Surface of HgTe Colloidal Quantum Dots and Enhances Performance of Short Wavelength Infrared Photodetectors

  • Popis výsledku anglicky

    A large volume, scalable synthesis procedure of HgTe quantum dots (QDs) capped initially with short-chain conductive ligands ensures ligand exchange-free and simple device fabrication. An effective n- or p-type self-doping of HgTe QDs is achieved by varying cation-anion ratio, as well as shifting the Fermi level position by introducing single- or double-cyclic thiol ligands, that is, 2-furanmethanethiol (FMT) or 2,5-dimercapto-3,4-thiadiasole (DMTD) in the synthesis. This allows for preserving the intact surface of the HgTe QDs, thus ensuring a one order of magnitude reduced surface trap density compared with HgTe subjected to solid-state ligand exchange. The charge carrier diffusion length can be extended from 50 to 90 nm when the device active area consists of a bi-layer of cation-rich HgTe QDs capped with DMTD and FMT, respectively. As a result, the responsivity under 1340 nm illumination is boosted to 1 AWMINUS SIGN 1 at zero bias and up to 40 AWMINUS SIGN 1 under MINUS SIGN 1 V bias at room temperature. Due to high noise current density, the specific detectivity of these photodetectors reaches up to 1010 Jones at room temperature and under an inert atmosphere. Meanwhile, high photoconductive gain ensures a rise in the external quantum efficiency of up to 1000% under reverse bias.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10400 - Chemical sciences

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Advanced Materials

  • ISSN

    0935-9648

  • e-ISSN

    1521-4095

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    17

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    001102489800001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85176561300