Carrier dynamics in InAs_AlAs quantum dots_ lack in carrier transfer from wetting layer to quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10070129" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10070129 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Carrier dynamics in InAs_AlAs quantum dots_ lack in carrier transfer from wetting layer to quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

Structures with self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in an AlAs matrix have been studied by steady-state and transient photoluminescence. It has been shown that in contrast to InAs/GaAs QD systems carriers are mainly captured by quantum dots directly from the AlAs matrix, while transfer of carriers captured by the wetting layer far away from QDs to the QDs is suppressed. At low temperatures the carriers captured by the wetting layer are localized by potential fluctuations at the wetting layerinterface, while at high temperatures the carriers are delocalized but captured by nonradiative centers located in the wetting layer.

Název v anglickém jazyce

Carrier dynamics in InAs_AlAs quantum dots_ lack in carrier transfer from wetting layer to quantum dots

Popis výsledku anglicky

Structures with self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in an AlAs matrix have been studied by steady-state and transient photoluminescence. It has been shown that in contrast to InAs/GaAs QD systems carriers are mainly captured by quantum dots directly from the AlAs matrix, while transfer of carriers captured by the wetting layer far away from QDs to the QDs is suppressed. At low temperatures the carriers captured by the wetting layer are localized by potential fluctuations at the wetting layerinterface, while at high temperatures the carriers are delocalized but captured by nonradiative centers located in the wetting layer.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nanotechnology

ISSN

0957-4484

e-ISSN

—

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

15

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000275901500019

EID výsledku v databázi Scopus

—