Photoemission study of the tin doped cerium oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10071385" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10071385 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoemission study of the tin doped cerium oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
Ce-Sn-O mixed oxide films prepared by simultaneous Sn metal and cerium oxide magnetron sputtering were studied by high resolution photoemission. The analysis showed that the degree of reduction of the cerium oxide depends on the tin concentration in thefilm. Ce4+ -} Ce3+ conversion is explained by a charge transfer from Sn atoms to unoccupied orbital Ce 4f(0) of cerium oxide by forming Ce 4f(1) state.
Název v anglickém jazyce
Photoemission study of the tin doped cerium oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering
Popis výsledku anglicky
Ce-Sn-O mixed oxide films prepared by simultaneous Sn metal and cerium oxide magnetron sputtering were studied by high resolution photoemission. The analysis showed that the degree of reduction of the cerium oxide depends on the tin concentration in thefilm. Ce4+ -} Ce3+ conversion is explained by a charge transfer from Sn atoms to unoccupied orbital Ce 4f(0) of cerium oxide by forming Ce 4f(1) state.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)