Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of Gallium Interaction with Metal-oxide Surfaces

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10071393" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10071393 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of Gallium Interaction with Metal-oxide Surfaces

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In presented work, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) was used to study interaction of gallium deposited on different metal-oxide surfaces. CeOx/Si, gama-Al2O3, Al2O3/Al, Al foil and Si were used as substrates. Ga was deposited in number of steps upto a thickness of several nanometers. Prepared samples were further studied under different temperature conditions. Gallium oxidation state was determined by Auger parameter analysis. Interaction of gallium with highly oxidized substrates led to galliumoxidation. The interaction of gallium with surface was strongly influenced by oxidation state of particular substrate. In addition, strong interaction between gallium and CeOx support occurred.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of Gallium Interaction with Metal-oxide Surfaces

  • Popis výsledku anglicky

    In presented work, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) was used to study interaction of gallium deposited on different metal-oxide surfaces. CeOx/Si, gama-Al2O3, Al2O3/Al, Al foil and Si were used as substrates. Ga was deposited in number of steps upto a thickness of several nanometers. Prepared samples were further studied under different temperature conditions. Gallium oxidation state was determined by Auger parameter analysis. Interaction of gallium with highly oxidized substrates led to galliumoxidation. The interaction of gallium with surface was strongly influenced by oxidation state of particular substrate. In addition, strong interaction between gallium and CeOx support occurred.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    WDS'10 Proceedings of Contributed Papers: Part III - Physics

  • ISBN

    978-80-7378-141-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Matfyzpress

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    1. 6. 2010

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku