Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Selective coherent x-ray diffractive imaging of displacement fields in (Ga,Mn)As/GaAs periodic wires

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103782" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103782 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/11:00385596

  • Výsledek na webu

    <a href="http://prb.aps.org/abstract/PRB/v84/i5/e054113" target="_blank" >http://prb.aps.org/abstract/PRB/v84/i5/e054113</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.054113" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.84.054113</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Selective coherent x-ray diffractive imaging of displacement fields in (Ga,Mn)As/GaAs periodic wires

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Coherent x-ray diffractive imaging is extended to high resolution strain analysis in crystalline nanostructured devices. The method now enables reconstruction of elastic strain distribution in layered nanowires or dots. The application potential is demonstrated by determining the strain distribution in (Ga,Mn)As/GaAs nanowires. By separating diffraction signals in reciprocal spaces, individual parts of the device could be reconstructed independently by our inversion procedure. We demonstrate the methodto be effective for material specific reconstruction of strain distribution in highly integrated devices.

  • Název v anglickém jazyce

    Selective coherent x-ray diffractive imaging of displacement fields in (Ga,Mn)As/GaAs periodic wires

  • Popis výsledku anglicky

    Coherent x-ray diffractive imaging is extended to high resolution strain analysis in crystalline nanostructured devices. The method now enables reconstruction of elastic strain distribution in layered nanowires or dots. The application potential is demonstrated by determining the strain distribution in (Ga,Mn)As/GaAs nanowires. By separating diffraction signals in reciprocal spaces, individual parts of the device could be reconstructed independently by our inversion procedure. We demonstrate the methodto be effective for material specific reconstruction of strain distribution in highly integrated devices.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    84

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    054113, 1-7

  • Kód UT WoS článku

    000293829200006

  • EID výsledku v databázi Scopus