X-ray characterization of semiconductor nanostructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103797" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103797 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://iopscience.iop.org/0268-1242/26/6/064002" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/0268-1242/26/6/064002</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/6/064002" target="_blank" >10.1088/0268-1242/26/6/064002</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray characterization of semiconductor nanostructures

Popis výsledku v původním jazyce

Theoretical description of x-ray scattering from nanostructures is briefly summarized. The application of x-ray scattering for the investigation of the structure of nanocrystals is demonstrated by two characteristic examples comprising standard small-angle x-ray scattering from nanocrystals in an amorphous matrix and x-ray diffraction from crystalline inclusions in an epitaxial layer. New synchrotron-based x-ray scattering methods are briefly discussed.

Název v anglickém jazyce

X-ray characterization of semiconductor nanostructures

Popis výsledku anglicky

Theoretical description of x-ray scattering from nanostructures is briefly summarized. The application of x-ray scattering for the investigation of the structure of nanocrystals is demonstrated by two characteristic examples comprising standard small-angle x-ray scattering from nanocrystals in an amorphous matrix and x-ray diffraction from crystalline inclusions in an epitaxial layer. New synchrotron-based x-ray scattering methods are briefly discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

26

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

1-7

Kód UT WoS článku

000289279300003

EID výsledku v databázi Scopus

—