Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1 xGdx)2SiO5:Ce single crystalline films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103987" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103987 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2011.10.003</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1 xGdx)2SiO5:Ce single crystalline films

Popis výsledku v původním jazyce

Single crystalline films of Lu2SiO5:Ce (LSO:Ce), (Lu1-xGdx)2SiO5:Ce (LGSO:Ce) and LGSO:Ce,Tb orthosilicates with thickness of 2.5-21 um were crystallized by liquid phase epitaxy method onto undoped LSO substrates from melt-solution based on PbO-B2O3 flux. The luminescence and scintillation properties of LSO:Ce, LGSO:Ce and LGSO:Ce,Tb SCFs were mutually compared and confronted with the performance of reference LSO:Ce and LYSO:Ce crystals.

Název v anglickém jazyce

Growth and luminescent properties of Lu2SiO5:Ce and (Lu1 xGdx)2SiO5:Ce single crystalline films

Popis výsledku anglicky

Single crystalline films of Lu2SiO5:Ce (LSO:Ce), (Lu1-xGdx)2SiO5:Ce (LGSO:Ce) and LGSO:Ce,Tb orthosilicates with thickness of 2.5-21 um were crystallized by liquid phase epitaxy method onto undoped LSO substrates from melt-solution based on PbO-B2O3 flux. The luminescence and scintillation properties of LSO:Ce, LGSO:Ce and LGSO:Ce,Tb SCFs were mutually compared and confronted with the performance of reference LSO:Ce and LYSO:Ce crystals.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F08%2F0893" target="_blank" >GA202/08/0893: Nové materiály a technologie pro přípravu tenkovrstvých scintilátorů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Crystal Growth

ISSN

0022-0248

e-ISSN

—

Svazek periodika

337

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

72-80

Kód UT WoS článku

000298199900012

EID výsledku v databázi Scopus

—